吉林大学研究团队在4英寸晶圆上开发出适用于Micro LED显示的高效率弱极化GaN LED

吉林大学张源涛教授团队在标准极性c面4英寸晶圆上，以工业级MOCVD系统制备出高效率弱极化电场（weak-PEF）蓝光III族氮化物LED。研究发现AlGaN势垒生长阶段的NH3流量是影响InGaN/AlGaN数字合金势垒质量的关键因素，调控NH3流量可改善界面质量、抑制缺陷并提升光学性能。