Ingantec展示5微米红光InGaN microLED，峰值EQE超过20%

美国公司Ingantec宣布已成功制备5微米红光InGaN microLED，在620 nm下峰值外量子效率（EQE）超过20%，器件基于常规c面外延结构。该结果由CEO Alan Yeung在埃因霍温举行的MicroLED-Connect活动上公布，器件在40–140 A/cm²的高电流密度区间仍维持5–8%的EQE。