高迁移率氧化物（HMO）：OLED显示背板系列第六篇

高迁移率氧化物（HMO）作为新一代氧化物半导体背板技术，目标是在保留氧化物TFT超低漏电流、低功耗与大面积均匀性优势的同时，将电子迁移率提升至与LTPS相当的30至50 cm²/V·s，较当前氧化物TFT约10 cm²/V·s的水平提高三到五倍，从而有望以单一氧化物层替代LTPS与LTPO的双层方案，降低工艺复杂度和成本。Apple正在评估将HMO作为LTPO的继任方案。