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UCSB研究人员开发蓝宝石衬底平面红色InGaN MicroLED，峰值EQE达20.8%
UCSB researchers develop the world's highest performance planar red InGaN microLEDs planar on sapphire
AI 导读
UCSB研究人员开发出峰值外量子效率达20.8%的红色InGaN MicroLED，并在200°C高温下保持较好性能。器件发光波长为619 nm，通过高质量InGaN外延生长及环形分布式布拉格反射器减少内部光损失；新器件峰值EQE超过此前同类器件的两倍。研究发表于ACS Photonics，并提出将相关器件用于显示和数据中心光互连。
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