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UCSB红色InGaN微LED效率提升
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AI 综述
2026年10月22日报道，UCSB研究人员开发出基于蓝宝石衬底的平面红色InGaN MicroLED，发光波长为619 nm，峰值外量子效率达到20.8%。器件采用高质量InGaN外延生长，并通过环形分布式布拉格反射器减少内部光损失；其峰值EQE超过此前同类器件的两倍，在200°C高温下仍保持较好性能。研究发表于《ACS Photonics》，相关器件被提出可用于显示和数据中心光互连。
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最新进展10月22日 20:43
UCSB红色InGaN微LED峰值EQE达20.8%，高温性能较好。报道时间线
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10月22日
- MicroLED-InfoUCSB研究人员开发蓝宝石衬底平面红色InGaN MicroLED，峰值EQE达20.8%
UCSB研究人员开发出峰值外量子效率达20.8%的红色InGaN MicroLED，并在200°C高温下保持较好性能。器件发光波长为619 nm，通过高质量InGaN外延生长及环形分布式布拉格反射器减少内部光损失；新器件峰值EQE超过此前同类器件的两倍。研究发表于ACS Photonics，并提出将相关器件用于显示和数据中心光互连。
本事件热度走势
当前热度 9·可比范围峰值 10（10月22日 22:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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