Hasselt大学探讨碳纳米管作为近红外OLED发光层
比利时哈塞尔特大学 Shabnam Ahadzadeh 博士就碳纳米管薄膜作为近红外 OLED 器件发光层发表演讲,介绍 CNT 作为近红外发光体的优势及器件表现,同时展示了该校与安特卫普大学合作开发的全新喷涂沉积工艺。
比利时哈塞尔特大学 Shabnam Ahadzadeh 博士就碳纳米管薄膜作为近红外 OLED 器件发光层发表演讲,介绍 CNT 作为近红外发光体的优势及器件表现,同时展示了该校与安特卫普大学合作开发的全新喷涂沉积工艺。
高迁移率氧化物(HMO)作为新一代氧化物半导体背板技术,目标是在保留氧化物TFT超低漏电流、低功耗与大面积均匀性优势的同时,将电子迁移率提升至与LTPS相当的30至50 cm²/V·s,较当前氧化物TFT约10 cm²/V·s的水平提高三到五倍,从而有望以单一氧化物层替代LTPS与LTPO的双层方案,降低工艺复杂度和成本。Apple正在评估将HMO作为LTPO的继任方案。
莱宝高科在控股子公司浙江莱宝显示采用8.6代基板、混排设计点亮6.13英寸至23.8英寸共七款中大尺寸彩色微腔电子纸(MED)产品,由中试迈向8.6代线投产落地。项目总投资90亿元,设计产能为月投片30k 8.6代基板,产品尺寸覆盖7.8英寸至55英寸,应用领域包括彩色电子书阅读器、电子纸平板、电子书包、扩展显示器、电子公交站牌等。
三星显示正研究采用半色调黑色PDL,将像素定义层(PDL)与间隔层在同一工序中成形,以减少去偏光片AMOLED(其品牌为LEAD AMOLED)的光刻步骤、压低生产成本。Omdia预测,去偏光片OLED显示出货量将在2026年增至7200万台,到2032年接近2.5亿台。三星显示是最早推出该技术的厂商。
苏黎世联邦理工学院与皇家墨尔本理工大学合作开发出可同时作为光刻胶使用的聚合物OLED发光材料。该材料采用核壳结构,将发光分子置于中心并被星状外壳包裹,外层经紫外光照射后交联固化,从而具备光刻所需的抗化学腐蚀能力,可实现超精细聚合物OLED器件的图案化制备。
韩国Global Technologies与Sungho Electronics持股8.8%的子公司ADST签署合作备忘录,双方将围绕microLED生产工艺与设备展开联合优化,由Global Technologies提供关键零部件,并以新设备系统共同开拓全球市场。Global Technologies目前已在开发microLED驱动IC、封装与集成技术。
美国公司Ingantec宣布已成功制备5微米红光InGaN microLED,在620 nm下峰值外量子效率(EQE)超过20%,器件基于常规c面外延结构。该结果由CEO Alan Yeung在埃因霍温举行的MicroLED-Connect活动上公布,器件在40–140 A/cm²的高电流密度区间仍维持5–8%的EQE。
弗劳恩霍夫IPMS与QubeDot合作开发了一款蓝色Micro LED微显示器,并在2026年于埃因霍温举行的MicroLED-ARVR-Connect展会上展示。
美国测试设备厂商Teradyne发布面向Micro LED器件的量产级光学测试平台Iris 100,可在阵列中逐个发光元测量,并接入UltraFLEXplus平台进行光学与电学联合测试。
Intel 开发了通过玻璃通孔(TGV)在玻璃基板上高效嵌入 microLED 的新技术,旨在实现深度光电集成,目前正与友达光电洽谈合作开发基于 microLED 的共封装光学(CPO)光互连方案。
三星显示正加速笔电OLED面板开发,准备推出一项降低模组功耗的新技术,重点针对AMOLED周边的驱动IC与芯片。三星显示尚未披露具体实现方式,但已申请LP OLED(笔电OLED)商标,并将1600尼特笔电OLED(已量产)、300Hz及更薄OLED面板作为近期笔电OLED技术布局的一部分。
韩国 LORDIN 基于自研的 ZRIET 机制和 ZETPLEX 分子设计,开发了一套铂基蓝色磷光 OLED 发光材料平台,并已公开 ZETPLEX Pt 掺杂剂的分子结构,开始向面板厂商和材料供应商送样评估。
LTPO 并非新型半导体,而是把 LTPS 与氧化物(IGZO)晶体管放在同一面板上的混合背板。LTPS 凭借高迁移率与 CMOS 能力负责驱动晶体管和面板电路,氧化物晶体管则以极低漏电流承担开关晶体管、维持像素电荷,从而实现约 1Hz 到 120Hz 的可变刷新率。该方案最初由苹果于 2014 年前后申请基础专利,现已成为高端手机显示屏的标志性背板技术。
三星显示宣布开发出6.9英寸2K分辨率+165Hz刷新率智能手机OLED面板,由vivo旗下iQOO 9月发布的iQOO 16首发搭载。官方称相比近期上市的1.5K+165Hz产品功耗降低约30%,HBM峰值亮度2800尼特、OPR 1%时可达10000尼特。实现方式包括像素信号布线厚度增加10%、采用22nm DDIC将运算功耗降约30%,并结合自研LEAD无偏光片技术与AI画质优化。
推荐理由:原文给出了2K+165Hz OLED的关键规格与功耗数据,可与既有1.5K+165Hz产品进行直观比较。
三星显示发布最新M16 OLED材料堆栈,可实现全球首款2K 165Hz手机AMOLED面板,峰值亮度最高达10,000尼特。该堆栈将分辨率由1.5K提升至2K的同时,功耗相比上一代手机AMOLED降低约30%,为此三星显示将背板布线厚度增加10%以降低电阻、提升像素充电速度,并将驱动制程由28nm升级至22nm,使驱动芯片运行功耗降低30%。
无晶圆半导体与 MicroLED 方案商 Ingantec 围绕 InGaN 原生红光 MicroLED 推进商业化,通过应变工程、缺陷屏蔽和光谱稳定技术,在高温高电流密度下保持高外量子效率(EQE),并已展示 Spectrally Stable Red(SSR)红光 chip-on-wafer 产品原型。
京东方在Display Innovation China Expo 2026上展出1.39英寸、326 PPI的microLED可穿戴显示样品,峰值亮度达6,000尼特,与三星显示此前展示的microLED穿戴原型水平相近。该面板在350尼特亮度下功耗为165 mW。
Instrument Systems 首席执行官 Marc Lünnemann 于 2026 年 1 月上任,提出增长、转型与协作三大优先方向,并强调公司将加大软件、服务及一体化解决方案投入。
三星显示于8月18日至21日在釜山BEXCO举行的IMID 2026上首次公开搭载最新广视角OLED技术的7.6英寸"Wide View"显示屏,可解决折叠屏及曲面屏边缘约40%的亮度衰减问题;同场首发的还有全球最大的20英寸可拉伸(Stretchable)面板。
TrendForce集邦咨询表示,Micro LED CPO方案单位传输能耗较低,整体能耗约为铜缆方案的5%。在1.6 Tbps光通讯产品中,现行光收发模组功耗约30W,采用Micro LED CPO架构有望降至1.6W左右。
推荐理由:原文给出了Micro LED CPO相对铜缆与现行光模块的能耗对比,可作为数据中心光互连方案的节能参考。
TCL华星于2025年11月14日在苏州开幕DTC 2025全球显示生态大会,发布涵盖LCD、OLED与MLED的产品矩阵及X-Intelligence 3.0显示行业领域大模型,同步升级APEX显示技术品牌。
TCL 华星 Natural-Spectrum Slim Pad Display 在 MWC Shanghai 2025 获得全球首张 SGS 准自然光光谱 EX 认证。