Global Technologies与ADST签署MoU,合作开发microLED生产工艺与设备
韩国Global Technologies与Sungho Electronics持股8.8%的子公司ADST签署合作备忘录,双方将围绕microLED生产工艺与设备展开联合优化,由Global Technologies提供关键零部件,并以新设备系统共同开拓全球市场。Global Technologies目前已在开发microLED驱动IC、封装与集成技术。
韩国Global Technologies与Sungho Electronics持股8.8%的子公司ADST签署合作备忘录,双方将围绕microLED生产工艺与设备展开联合优化,由Global Technologies提供关键零部件,并以新设备系统共同开拓全球市场。Global Technologies目前已在开发microLED驱动IC、封装与集成技术。
美国公司Ingantec宣布已成功制备5微米红光InGaN microLED,在620 nm下峰值外量子效率(EQE)超过20%,器件基于常规c面外延结构。该结果由CEO Alan Yeung在埃因霍温举行的MicroLED-Connect活动上公布,器件在40–140 A/cm²的高电流密度区间仍维持5–8%的EQE。
弗劳恩霍夫IPMS与QubeDot合作开发了一款蓝色Micro LED微显示器,并在2026年于埃因霍温举行的MicroLED-ARVR-Connect展会上展示。
美国测试设备厂商Teradyne发布面向Micro LED器件的量产级光学测试平台Iris 100,可在阵列中逐个发光元测量,并接入UltraFLEXplus平台进行光学与电学联合测试。
Intel 开发了通过玻璃通孔(TGV)在玻璃基板上高效嵌入 microLED 的新技术,旨在实现深度光电集成,目前正与友达光电洽谈合作开发基于 microLED 的共封装光学(CPO)光互连方案。
日本大阪大学与立命馆大学的研究人员首次演示了掺� terbium的AlGaN基LED,可在同一种材料平台上实现红、绿、蓝发光。
无晶圆半导体与 MicroLED 方案商 Ingantec 围绕 InGaN 原生红光 MicroLED 推进商业化,通过应变工程、缺陷屏蔽和光谱稳定技术,在高温高电流密度下保持高外量子效率(EQE),并已展示 Spectrally Stable Red(SSR)红光 chip-on-wafer 产品原型。
京东方在Display Innovation China Expo 2026上展出1.39英寸、326 PPI的microLED可穿戴显示样品,峰值亮度达6,000尼特,与三星显示此前展示的microLED穿戴原型水平相近。该面板在350尼特亮度下功耗为165 mW。
Instrument Systems 首席执行官 Marc Lünnemann 于 2026 年 1 月上任,提出增长、转型与协作三大优先方向,并强调公司将加大软件、服务及一体化解决方案投入。
TrendForce集邦咨询表示,Micro LED CPO方案单位传输能耗较低,整体能耗约为铜缆方案的5%。在1.6 Tbps光通讯产品中,现行光收发模组功耗约30W,采用Micro LED CPO架构有望降至1.6W左右。
推荐理由:原文给出了Micro LED CPO相对铜缆与现行光模块的能耗对比,可作为数据中心光互连方案的节能参考。
TCL华星于2025年11月14日在苏州开幕DTC 2025全球显示生态大会,发布涵盖LCD、OLED与MLED的产品矩阵及X-Intelligence 3.0显示行业领域大模型,同步升级APEX显示技术品牌。